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SiOx 歧化——一氧化硅负极生产工艺

SiOx 的优势

一氧化硅(SiO,或 SiOx,x≈1)是石墨稳定性与纳米硅高容量之间的实用折中方案。其活性微结构——2–8 nm 纳米 Si 簇分散在无定形 SiO₂ 基体中——在合成过程中原位形成,省去了单独球磨纳米硅的步骤。商业化 SiOx 颗粒比容量达 1,200–1,500 mAh/g,通常与石墨混合,使复合电极容量达到 450–650 mAh/g。

主要挑战是首周库伦效率(ICE)偏低。首次嵌锂时,SiO₂ 区域不可逆地消耗锂,生成 Li₂O 和 Li₄SiO₄,导致 ICE 仅为 70–78%。预锂化是目前最主流的商业解决方案。

合成与预锂化工艺

工艺步骤条件关键参数
SiO 气相合成1,200–1,400 °C,真空或惰性气氛Si:SiO₂ 比例、蒸气压
淬冷与粉碎急速冷却 + 气流磨颗粒 D50 5–10 µm
CVD 碳包覆600–900 °C,乙炔或甲烷包覆层厚度 5–50 nm
预锂化锂蒸气、电化学法或 SLMPICE 提升至 88% 以上

高温歧化是核心反应:SiO → Si + SiO₂(约 900 °C 以上热力学驱动)。精确的温度和气氛控制决定纳米 Si 域的尺寸,进而影响容量和膨胀行为。

预锂化技术因生产商而异。信越化学(日本)采用锂蒸气预锂化(将电池级 Li 蒸镀到 SiOx 粉体上)。电化学预锂化在专用锂化槽中完成,再进行极片涂布。稳定化金属锂粉(SLMP)直接混入负极浆料。兰溪致德新能源材料在其 SiOx 产品线上采用气相预锂化技术,ICE 可达 88% 以上。

主要生产商

信越化学(日本)持有 SiOx 核心专利,向松下/特斯拉及日本电芯厂供应高端 SiOx。天目先导(中国,杭州)是中国最大的 SiOx 生产商,公告产能超 15,000 吨/年。兰溪致德同时生产 CVD 硅碳复合材料和预锂化 SiOx,利用自产 SiH₄ 实现内部 CVD 碳包覆——这是显著的垂直一体化优势。

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